手機：照片存在哪，App 在哪？
- NAND 儲存
- LPDDR 工作區
- 處理器／SRAM
照片與 App 檔案保存在 NAND；執行 App 時，所需資料進入 LPDDR，處理器透過快取取得常用資料。
容量不夠存照片，和同時開很多 App 不順，是兩種不同的資源問題。
上半看原理：運算、保存、開機各用哪一種。下半看生意：誰做什麼、數字附來源與日期。
HBM 為加速器提供高頻寬工作空間；DDR 等系統 DRAM 支援主機程式。兩者都屬 DRAM，都需要供電來保留工作資料。
NAND 是儲存元件；SSD 把 NAND、控制器等元件組成裝置。已寫入的資料能在斷電後保留。
NOR 常用來存放開機碼與韌體。它也能在斷電後保存資料，但存取方式與 NAND 不同。
怎麼讀這頁：原理段（到「斷電後誰還在」為止）不含投資數字。HBM 段之後的數字都貼著標籤：第三方研調券商估計公司宣稱媒體報導推論，並附日期；核對日 2026-10-08。修正紀錄在頁尾。
名字很多，但只分三家：SRAM、DRAM（DDR、LPDDR、GDDR、HBM 都在這一家）、Flash（NAND、NOR）。最右欄只列本頁有查證來源的台廠角色，細節見誰做什麼矩陣。
| 類型 | 家族 | 斷電後 | 常見在哪裡 | 主要工作 | 為什麼不能全部用它 | 台股相關 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SRAM手邊的小抄 | SRAM（不屬 DRAM） | 消失 | CPU／GPU 晶片內的快取 | 讓處理器快速取得常用資料；不需週期刷新 | 面積與成本高，只能做小容量 | 內建在處理器晶片裡，不是單獨採購的顆粒 |
| DDR電腦的工作桌 | DRAM | 消失 | 桌機、筆電、伺服器主記憶體 | 放正在執行的程式與工作資料；需週期刷新 | 斷電即失，長期檔案仍要寫入儲存裝置 | 南亞科 2408、華邦電 2344（利基 DRAM） |
| LPDDR省電的工作桌 | DRAM | 消失 | 手機、輕薄筆電；部分伺服器 CPU（如 NVIDIA Grace） | 低功耗的工作記憶體 | 介面、封裝與功耗設計不同，不能和 DDR 模組互插 | 本頁未查證台廠角色 |
| GDDR繪圖用的材料區 | DRAM | 消失 | 顯示卡與部分加速器 | 供應圖形與平行運算所需的高頻寬 | 不能當一般 DDR 模組；GDDR 世代數字和 DDR 不對應 | 本頁未查證台廠角色 |
| HBM疊高的備料架 | DRAM（多層堆疊） | 消失 | AI 加速器、高效能運算 | 以堆疊與寬介面，供應大量並行資料 | 封裝、成本、散熱都更難；高頻寬不等於每次讀取最快 | Counterpoint 市占表只列三星、SK 海力士、美光（見 HBM 段） |
| NAND長期存放的檔案櫃 | Flash | 保留 | SSD、手機儲存、記憶卡、eMMC | 保存檔案與資料 | 以頁讀寫、以區塊抹除，速度與耐寫次數取代不了 DRAM | 旺宏 2337、華邦電 2344（SLC 等利基型）；群聯 8299（控制晶片／SSD） |
| NOR設備的開機手冊 | Flash | 保留 | CPU、BMC、車用與工控設備的韌體 | 保存開機碼；可原地執行（XIP） | 容量小、每 bit 成本高 | 華邦電 2344、旺宏 2337（市占見 NOR 段） |
照片與 App 檔案保存在 NAND；執行 App 時，所需資料進入 LPDDR，處理器透過快取取得常用資料。
容量不夠存照片，和同時開很多 App 不順，是兩種不同的資源問題。
文件保存在 SSD；開啟後工作資料放進主記憶體。修改結果必須寫回儲存裝置，關機後才會留下。
加大 SSD 不等於加大 RAM，兩者改善的限制不同。
模型檔案保存在儲存系統，需要的模型與工作資料載入加速器記憶體（HBM 或 GDDR，依系統而異）。
放不下是容量問題；搬不夠快是頻寬問題。推論時的分層見 AI 推論分層。
概念路徑，省略控制器、匯流排與作業系統細節。
能放多少資料。模型或工作資料放不下時，先問容量。
單位時間能傳多少資料。運算等著大量資料時，要看頻寬。
一次存取的等待時間。高頻寬不代表每一次讀取都最快。
概念參考：Micron 記憶體家族 · Micron 繪圖記憶體 · Micron：NAND 開機與 RAM 載入（核對日 2026-10-08）。
色塊代表資料；圖形為概念示意
通電時，兩者都可以存放資料。試著斷電，觀察哪些資料還留著。
HBM 也是 DRAM 家族的一員。SSD 則是使用 NAND 等元件組成的儲存裝置。
層數與比例僅為示意，非特定產品
多層 DRAM 晶片透過 TSV 垂直互連，以寬介面傳送資料，支援高頻寬需求。
這種「堆疊」是把做好的 DRAM 晶粒疊起來封裝；和 NAND 在單一晶片內往上長幾百層，是兩種不同的 3D。和 GPU 怎麼接在一起，見先進封裝。
推論台股沒有出現在 HBM 顆粒市占表裡；台灣跟 HBM 的關係主要在封裝與測試（見先進封裝）。看到「台廠做 HBM」的標題，先確認講的是標準 HBM，還是邊緣 AI 用的客製堆疊 DRAM（例如華邦 CUBE）。
這是 NVIDIA 的分層說法，不是通用標準。KV cache 是模型生成回答時記下的「前文中間結果」，對話越長越大。NVIDIA 在 CES 2026（2026-01-05）發表 Inference Context Memory Storage 平台，2026-03-16 技術文章改稱 CMX，並用 G1–G4 加上新的 G3.5 說明這些資料放哪裡。下表的「層」與延遲描述照 NVIDIA 原文；其他廠商未必這樣分。
全部層級：由上到下越慢、越便宜、容量越大，共享範圍也從單一 GPU 擴大到整個資料中心。
推論：由熱到溫——最常被讀的 KV cache 留在 HBM；放不下時移到系統 DRAM 暫存，再往本地 SSD 找短期內會再用的資料（G1 → G2 → G3）。
長上下文與共享——資料不再最熱、但要重用或跨節點共享時，比較本地 SSD、pod 共享的 G3.5 與長期保存的 G4（G3 → G3.5 → G4）。這不是每次存取都要經過的串聯路徑。
分層定義與延遲描述：NVIDIA 技術文章（2026-03-16）；合作名單與供貨時程：NVIDIA 新聞稿（2026-01-05）；營邦產品：TechNews（2026-01-10）；群聯角色：國泰期貨〈8299 群聯〉2026-10-02 p.1。供應商欄是角色整理（券商點名／公司自述），不是市占、也不是推薦；在名單上不代表已取得訂單。NVIDIA 沒有給各層的具體延遲數字，也沒有可跨平台比較的固定頻寬。
上面談「資料放在哪一層」。這一段換個角度：顆粒是誰做的、規格怎麼分，以及為什麼同一則「記憶體漲價」的新聞，對不同公司的意義可能剛好相反。
靠縮小線寬換密度，節點寫成 1α／1β／1γ。產品名是 DDR4、DDR5、LPDDR5X、HBM。角色是放 CPU／GPU 正在算的資料，斷電就消失。
HBM 的「堆疊」是把做好的 DRAM 晶片用 TSV 疊起來封裝（見 HBM 段），屬封裝層級。
儲存單元在單一晶片內往上堆幾百層，靠層數換每 bit 成本。產品名是 TLC／QLC 顆粒、eSSD 用料。角色是存放算完與待算的資料，斷電還在。
這是元件層級的堆疊，跟 HBM 把多顆晶片疊起來不是同一件事，別把兩者都說成「3D 堆疊」就當成同一種能力。
推論兩者用到的設備類別有重疊（沉積、蝕刻、微影），但製程重點不同：DRAM 重微影（含 EUV），3D NAND 重高深寬比的蝕刻與沉積。產線通常專線生產，轉產要重新配置設備與製程，所以「DRAM 廠跨做 NAND」不是加一條線就好。一台電腦寫「16GB 記憶體 ＋ 1TB SSD」，是分別買了 DRAM 與 NAND 兩種晶片；三星兩種都做，也是分開的產線。
塞越多，每 GB 越便宜，但寫入越慢、可抹寫次數越少、資料保存年限越短。SLC 貴但耐操、可靠度高；QLC 便宜大碗，適合不常改寫的冷資料。
高層數拚每 bit 成本，做 TB 級 SSD；低層數、小容量（Gb 級）製程成熟、良率穩，適合長生命週期供貨。蓋高層數廠的資本支出，是新進者最大的門檻。
| 廠商・世代 | 層數 | 每格 | 面密度 | 狀態（日期） |
|---|---|---|---|---|
| SK 海力士 第 9 代 | 321 層 | TLC（3 bit） | 約 20 Gb/mm² | 量產中；下一代 375 層目標 2026 年底量產（原 400 層級下修）媒體報導 |
| 三星 V10（BV-NAND） | 400+ 層 | TLC（3 bit） | 約 28 Gb/mm² | 2026-08 FMS 發表；量產目標 2026 下半年，至 2026-10-08 未見量產確認 |
| 鎧俠／SanDisk BiCS10 | 332 層 | TLC 送樣；QLC（4 bit）展示 | QLC 約 37 Gb/mm² 以上 | TLC 2026-07-03 送樣給企業客戶；QLC 2026-08-04 FMS 展示 |
| 維度 | 利基型 | 大宗商品 |
|---|---|---|
| 規格 | SLC／MLC、低層數、小容量 | TLC／QLC、幾百層、大容量 |
| 用在哪 | 工控、車用、網通、IoT，多半焊死在板上 | SSD、手機、資料中心 |
| 客戶要什麼 | 長期供貨保證、耐高溫、可靠度 | 每 GB 最便宜 |
| 賣法 | 長約與短約、現貨並存；MS 認為舊記憶體多數沒有固定價格長約，漲價期反而保有價格彈性券商觀點 | 合約價＋現貨，但三大廠也開始簽多年長約：美光已簽 26 份策略客戶協議（SCA），客戶財務承諾 320 億美元，涵蓋 2030 年前逾 35% 營收公司宣稱 |
| 2026 價格實況 | 大廠退出時同樣暴漲：1Q26 PC DDR4 合約價季漲 120–125%券商彙整 | 同一季 PC DDR5 季漲 110–115%；兩邊都是強循環，差在驅動力券商彙整 |
賣法：Morgan Stanley〈Old Memory: No LTAs Is Not Necessarily Bad〉2026-08-16 p.1；美光 FY26 第四季新聞稿（SEC 8-K），富邦投顧〈記憶體產業〉2026-10-01 p.1 同數字。價格：Morgan Stanley〈Memory Innovation〉2026-09-01 p.3 Exhibit 1（DDR4 是利基品的代表，DDR5 是大宗）。利基型賣的是供貨承諾與可靠度：車用與工控換料要重新認證，所以廠商比的是可靠度、資料保存年限、車規認證與長生命週期供貨，不比層數。認證要多久依客戶與料號差異很大業界常見說法，本頁未附源。
← 左右滑動看全部產品線（第一欄固定）
| 公司 | HBM | DRAM | 3D NAND（大宗） | SLC／MLC NAND（利基） | NOR | NAND 控制 IC | SSD／模組 | 晶圓 | 位置備註與來源 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 大型顆粒原廠（IDM） | |||||||||
| 三星（韓） | ● | ● | ● | · | · | ● | ● | 自有 | DRAM＋NAND 兩種都做，分開產線 |
| SK 海力士（韓） | ● | ● | ● | · | · | ● | ● | 自有 | 企業級 SSD 含子公司 Solidigm |
| 美光（MU） | ● | ● | ● | · | ● | ● | ● | 自有 | 2025 NOR 市占 9%（富邦 2026-09-17 p.1 轉引 Omdia） |
| 鎧俠、SanDisk | · | · | ● | · | · | ● | ● | 共用合資廠 | BiCS 世代同步，不是兩個獨立產能來源 |
| 長鑫 CXMT（中） | ○ | ● | ○ | · | · | · | · | 自有 | 大宗 DDR5／LPDDR5X 為主，目標占產出近 75%；12-Hi HBM3 目標 2026 年底量產；2026-07-16 上海科創板掛牌；北京新廠規劃 NAND 研發線媒體報導 |
| 長江存儲 YMTC（中） | · | ○ | ● | · | · | · | · | 自有 | 大宗 NAND 供給的主要變數；2026-04 送出 LPDDR 樣品，公司預期 2026 年底取得客戶回饋媒體報導 |
| 利基型與台廠顆粒廠 | |||||||||
| 南亞科 2408 | · | ● | · | · | · | · | · | 自有 | 只做 DRAM 的自有品牌 IDM |
| 華邦電 2344 | · | ● | · | ● | ● | · | · | 自有 | 2Q26 營收：客製化記憶體（DRAM）53%、Flash（NOR＋SLC NAND）33%國泰 2026-09-18 p.1 轉述公司；24nm 與 32nm SLC NAND 約占 Flash 營收 41%（國泰 2026-09-08 p.2）。2025 NOR 市占第一（23%）。CUBE 是邊緣 AI 客製 DRAM，與 NVIDIA G3.5 無關 |
| 旺宏 2337 | · | · | · | ● | ● | · | · | 自有 | 另有 ROM 與 eMMC 產品；2025 NOR 市占 17%（富邦 2026-09-17 p.1 轉引 Omdia）。ROM 排名、產線轉換彈性等說法只見於券商摘要，本頁不列 |
| 兆易創新（603986.SH） | · | ● | · | ● | ● | · | · | 無（委外代工） | 另有 MCU；與台廠利基型正面重疊。2025 NOR 市占 17%（同上來源）。代工夥伴本頁未查證 |
| 控制 IC 與模組（向原廠買顆粒） | |||||||||
| 群聯 8299 | · | · | · | · | · | ● | ● | 無 | 從 NAND 控制晶片延伸到企業級 SSD 與 AI 儲存方案（國泰期貨 2026-10-02 p.1）；要自購 NAND、持有存貨，所以 NAND 漲跌直接影響毛利 |
| 慧榮（SIMO，美股） | · | · | · | · | · | ● | · | 無 | 以控制 IC 為主 |
| 威剛 3260、創見 2451、宇瞻 8271 | · | · | · | · | · | · | ● | 無 | 模組廠，向上游買顆粒；位在採購端，不在顆粒供給端 |
● 有此產品線 ○ 開發中／送樣／規劃 · 無。角色依公司官網、研報與報導整理（公司自述／券商點名），不是市占、也不是推薦；有產品線不代表已取得特定平台訂單。長鑫來源：Digital Citizen（2026-07）、TrendForce（2026-09-18）；長江存儲：EE Times。
台灣不是沒有 NAND 原廠——旺宏與華邦都有自有 NAND 晶圓。台灣缺的是「3D NAND 高層數大宗商品產能」，這兩件事常被混為一談。華邦的 SLC NAND 已從 46nm 走到 32nm（2018-11-13 宣布、首顆送樣）與 24nm，但刻意不追消費級的 1x nm；原廠說法是較大的儲存格保有較多電子，資料保存較穩，車用才敢用（華邦技術文章）公司宣稱。
不是「把 NAND 裝進 DRAM」，而是把 NAND 垂直堆疊、擺到加速器旁邊，用便宜的大容量接住 HBM 裝不下的推論資料。
2026-08 FMS 展會上，SanDisk 與 SK 海力士發布 OCP HBF 規格 v0.7.0：8-Hi／16-Hi NAND 堆疊、每顆最高 512GB，三個頻寬等級 0.384／1.536／3.072 TB/s，走 UCIe chiplet 介面。
反面：量產時程未公布。SanDisk 自稱 2026 下半年送出首批樣品、2027 年初推出搭載 HBF 的推論裝置樣品公司宣稱，至 2026-10-08 未見送樣確認。每格 bit 數也沒公開。HBF 定位是讀多寫少，適用範圍比 HBM 窄得多，不能當成 HBM 的替代品來估市場。
以相對低的成本擴充容量，不必多加 GPU／CPU，把 HBM 留給最吃速度的運算。三星目標 2026 年底量產 CXL 3.1 的 CMM-D（第三季送樣）；SK 海力士二代 256GB CMM-DDR5 只到展示（2026-06 HPE Discover），未公布量產時程。
反面：三星時程有報導指可能遞延到 2027，原因是 Intel／AMD 伺服器平台進度；CXL 接 DDR 的頻寬與延遲弱於本地 DDR5，適用邊界受限；亦有報導指 NVIDIA 生態的態度是落地阻力媒體報導。廠商宣稱的推論效率改善（三星：約 92% DRAM 級效能；SK 海力士：吞吐最多 +35.7%）是各自的內部測試公司宣稱，無第三方驗證。
推論以下四條是本頁的推論，不是事實，也不構成投資建議。
核對日 2026-10-08。技術定義（DRAM／NAND 差異、SLC–QLC、利基與大宗的商業模式）屬產業常識，未逐項附源；數字與時程都貼在數字旁。券商數字已回原始 PDF 核對頁碼（放在 vault 的 200_Reference/台股研究報告/）。