小元件，
讓電路穩定運作。

在 AI 伺服器裡，它們在哪裡？

電從機房一路降壓送到晶片，三個位置用到的被動元件不一樣。下面按供電順序排，每一格寫「這裡做什麼」和「這裡主要是哪些元件」。

1. 01 · 機房與電源架

   PSU（電源供應器）、BBU（備援電池模組）

   把交流電整流成直流。未來改走 800V HVDC（高壓直流）配電。

   • 鋁電解／牛角型電容、電感，PSU 端講究耐高溫、高壓、低損耗。宏遠 2026-08-12 p.8、p.11
   • 48V、100V 等級 MLCC（積層陶瓷電容）；改 800V HVDC 後再多出 1–2kV 大尺寸 MLCC 需求。券商轉述公司宏遠 p.6，引三星電機網站
2. 02 · 板上降壓

   DC/DC 與 VRM（電壓調節模組）

   把中間電壓降到晶片要的不到 1V，用多相電路分擔電流。

   • 電感：一個供電相位配一顆，相數越多電感越多。宏遠 p.7
   • 電阻：放在關鍵電源路徑做電流感測，只放在「需要量測的節點」。宏遠 p.7
3. 03 · 晶片封裝旁

   GPU、HBM 周邊的去耦

   GPU 在約 0.8V 下吃數千安培，負載一跳電壓就晃。宏遠 p.5，引三星電機

   • MLCC 要貼著每個供電接點就近補電：「電流出入點有幾千個，去耦電容就要鋪幾千顆」。宏遠 p.7
   • 這一區要小型化、超高容值，宏遠認為是日韓大廠主場。券商判斷宏遠 p.11

以上是典型位置，實際配置依電路設計而異。電源架與 800VDC 的完整路徑見 AI 伺服器：電從哪裡來 →

一套系統，要用掉幾顆 MLCC？

前面講的是「一顆元件做什麼」。這一段開始講「產業為什麼會變」。先注意比較單位：H100 HGX 是一台 8 顆 GPU 的伺服器（HGX＝NVIDIA 的 8-GPU 伺服器基板），GB200／VR200 NVL72 是 72 顆 GPU 用 NVLink 連成的一整櫃（VR200＝券商對 Vera Rubin 世代的簡稱）。兩者直接相除，倍數大部分來自 GPU 數多了 9 倍。

每顆 GPU 配多少 MLCC 本頁計算：深色＝區間下緣，淺色＝兩家估計的差距。

本頁計算若直接拿整櫃除以 H100 單台，GB200／300 是 12–15 倍、VR200 是 19–20 倍；換算成每顆 GPU 只剩 1.3–2.2 倍。產業總用量會爆量，是「每顆 GPU 多用一點」乘上「GPU 出貨與整櫃化」，不是單顆晶片用量放大 20 倍。宏遠另引 utmel：每台 AI 伺服器 1–4 萬顆，約一般伺服器 10 倍（p.9）。

MLCC 值多少錢？兩家的定義不一樣

推論國票把 1,530 → 4,320 放在「同一平台 2023 年 vs 2027 年」，比的是時間（含漲價與規格升級）；宏遠把同一組數字寫成「GB300 vs VR200」，比的是世代。兩種定義不能混用，引用時要寫明是哪一家、哪一頁。

為什麼會爆量？因為機櫃越來越耗電。

被動元件大量裝在供電路徑上。機櫃功率往上跳一個級距，穩壓與去耦需要的顆數就跟著跳。下圖為線性比例，數字寫在每根條旁。

券商轉述公司2020–2026 五個級距取自宏遠證券 2026-08-12 p.6 的禾伸堂法說會圖（宏遠標「三星電機公司網站、禾伸堂法說會簡報」；圖內小字自註「資料來源：NVIDIA」，但沒附原始出處）。其中 Vera Rubin「200kW+」NVIDIA 未正式公布，第三方估計差距大。

官方與報導最後一列是虛線區間，不是單一數字：NVIDIA 2025-05 公布 800VDC 架構，原訂 2027 年隨 Kyber（Rubin Ultra）量產；GTC 2025 曾提 Kyber 機櫃約 600kW；2026-03 GTC 改為 Kyber 先以 Vera Rubin Ultra NVL144 推出；2026-07 SemiAnalysis 報導延至 2028（NVIDIA 未證實）。800VDC 的設計目標是 MW 級。禾伸堂圖上的「2027 Rubin Ultra 1,000kW+」是設計上限方向，不是確定的出貨機櫃功率。

推論功率上升推高兩件事：晶片端（不到 1V）的電流變大，需要更多相數、更多電感；電壓波動更難壓，需要更多去耦電容貼近晶片。配電端則相反，改 800VDC 正是為了降低電流，但會多出 1–2kV 高壓 MLCC 需求（宏遠 p.6）。這是顆數躍升的物理原因，不是單純「伺服器賣更多台」。

三種元件，誰最吃到 AI？

回到最前面那三個元件。國票給的受惠排序、宏遠給的單櫃用量，和 2026-08 的最新供需訊號並排看。

推論星等是國票自訂尺度，不是通用指標；「電容 50–55%」也只有國票一家的定性說法（日本電子資訊技術產業協會 JEITA 統計的日廠出貨額裡，電容占 72.9%，口徑不同不能互比，宏遠 2026-09-09 p.16）。電阻排最後，不代表沒漲價：交期與價格在 2026-08 都在往上走。

這個市場是誰的？三個口徑要分開看。

MLCC 市占至少有三種算法：出貨顆數、產值金額、產能。同一家公司在三種口徑下的排名可以差很多。

券商轉述兩欄都是宏遠證券 2026-08-12 p.11 轉述，出貨量引 Morgan Stanley、產值引 JPM，未查證機構原始報告。宏遠原文寫前二大合計出貨量「約 63%」（表上 41%＋23% 為 64%）、前五大約 87%；國票 p.3 另寫高階 MLCC 日韓市占逾 70%。

推論國巨是唯一產值市占低於出貨量市占的一家，常被拿來說「賣的是低單價產品」。但兩欄來自不同機構與口徑，產值欄合計還超過 100%，相減的差距可能只是定義不同；而國巨自述的「全球第三、產能逾 15%」又是第三種口徑（產能）。三個數字不能互相印證，只能並列。另外國巨不是純 MLCC 公司：2026 年第二季營收裡鉭質電容 23.8%、磁性元件 23.5%、MLCC 19.1%、電阻 14.3%、感測器 10.9%（兆豐 2026-07-31）。

台廠為什麼有機會？「排擠效應」。

這是國票（2026-06-11 p.3–4）的核心機制，按因果順序排：

1. 日韓握有高階

   高階 MLCC 日韓市占逾 70%（國票 p.3）

2. AI 需求爆發

   日韓大廠產能優先投入高階料號（國票 p.4）

3. 中低階被排擠

   中低階 MLCC 產能不足（國票 p.4）

4. 中低階缺貨漲價

   國票 2026-06 預估：交期拉長至 20 週以上、日韓調漲 15–35%。已發生：國巨 2026 第二季對通路調漲約 20–30%（華南 2026-07-09 p.3）；三星電機 8/1 全產品 +30%

5. 台廠承接溢出

   國巨、華新科直接受惠（國票 p.4）

但宏遠（2026-08-12 p.11）把 AI 用途拆成兩塊，台廠的機會不只在溢出：

券商判斷宏遠 2026-08-12 p.11 原表；宏遠未提供台廠在電源端的市占或客戶認證數據。

推論券商間說法是混合的，不是單純對立。國票講排擠。宏遠講台廠「精準插旗 AI 伺服器電力系統的高耐壓、耐高溫、高可靠度特規市場」（p.11）。華南（2026-07-09）兩種都講：國巨受惠於日系「主動收縮中低階市場」的產能外溢（p.1）；禾伸堂 NP0 MLCC、金山電 PSU 牛角型電容則屬電源端利基（p.3–4）。NP0 是溫度最穩定的一類陶瓷介質，也寫作 C0G。哪一邊比重大，要看後續產品組合與毛利率。

供給為什麼跟不上？

交期、稼動率與漲價：實際數字

B/B 大於 1 代表接單多於出貨，數字越高代表在手訂單累積越快。村田、太陽誘電公布的是季度值。

反面：這幾份研報幾乎沒談風險。

失效條件監測表

讀數都附日期與來源；沒有資料就寫「無資料」，不做估計。

同一件事，券商怎麼說

註：宏遠 2026-08-12 首頁（p.2）看好國巨、禾伸堂、華新科，尾頁（p.19）已拿掉華新科；2026-09-09 版首尾頁都改為國巨、禾伸堂、信昌電，確認不再列華新科（原因未說明）。國票 p.4 寫「國巨毛利率 >45%」，放在鉭電容優勢框內，應指鉭電容；國巨 2026 年第二季整體毛利率為 38.5%（兆豐 2026-07-31），不可讀成全公司。

台股公司在價值鏈的哪裡？

從材料到通路，按產品類別排。券商點名／公司自述，非市占、非推薦角色描述主要來自宏遠證券 2026-09-09 p.18「被動元件臺廠相關個股」，另標其他頁碼。

「電源端」標籤只標研報明寫用在 PSU 或電源輸入端的公司，其他公司未標不代表沒有。代號已對上市櫃清單核對。