電感
在部分電源轉換電路中,協助儲存及傳遞能量。
研究重點
電感值、飽和電流、直流電阻、溫升與封裝尺寸。
先分清三件事:電阻限制電流、電容儲存電場能量、電感儲存磁場能量。
動畫用來表達作用,不是電子速度、電流大小或實際電路模擬。圖為概念剖面,非產品照片。
在部分電源轉換電路中,協助儲存及傳遞能量。
電感值、飽和電流、直流電阻、溫升與封裝尺寸。
常配置於電源線與晶片附近,協助去耦與抑制電壓波動。
容量、耐壓、介質、溫度特性與直流偏壓下的有效容量。MLCC 是多層陶瓷電容,並非所有電容。
用於分壓、回授及電流感測等不同電路位置。
阻值、精度、額定功率與溫度係數;不同用途不能只用顆數直接比較。
以上是典型用途,實際配置依電路設計而異。
回到 AI 伺服器架構 →前面講的是「一顆元件做什麼」。這一段開始講「產業為什麼會變」——答案幾乎都在這張圖裡。
事實用量級距引 Morgan Stanley,經國票與宏遠轉述。宏遠對 GB300 列約 45 萬顆、對 VR200 自估 55–60 萬顆,與國票的「逾 60 萬顆」略有出入,此處取兩份的交集區間。
| 世代 | 單機/櫃 MLCC 產值(研報原表寫法) | 漲幅 |
|---|---|---|
| H100 HGX | 210 → 420 美元 | +100% |
| GB200/300 | 930 → 2,020 美元 | +117% |
| Rubin VR200 NVL72 | 1,530 → 4,320 美元 | +182% |
研報原表以「前→後」兩個數字表示,未定義前值的基準世代,此處照錄不作推算。同一張表中其他零組件漲幅:記憶體 +435%、PCB +233%、NVLink switch 晶片 +122%、GPU +57%——MLCC 的 +182% 排第三。
被動元件裝在供電路徑上。機櫃功率往上跳一個級距,穩壓與去耦需要的顆數就跟著跳。
柱高為平方根比例,非等比例——若照實際比例,10kW 那根會細到看不見。數值以標示為準。
事實功率級距引 NVIDIA,經宏遠證券轉述。2027 年 Rubin Ultra 的 1,000kW+ 為規劃值,非已出貨規格。
推論功率上升同時推高兩件事:電流變大(需要更多電感與更粗的供電路徑)、電壓波動更難壓(需要更多去耦電容貼近晶片)。這是顆數躍升的物理原因,不是單純「伺服器賣更多台」。
回到最前面那三個元件。它們受惠程度並不一樣。
AI 伺服器用量躍升的主體。占全球被動元件市場約 50–55%,MLCC 又是其中最大宗。
受惠於供電轉換級數增加,但單櫃用量遠低於電容。
用量隨電路數量成長,但單價低、規格門檻相對低,漲價彈性最小。
宣稱值星等排序與「電容占 50–55%」為國票投顧 2026-06-11 的定性判斷,無第三方佐證。星等是該研報自訂尺度,非通用指標。
推論前四家的產值市占都高於或等於出貨量市占,只有國巨反過來(出貨量 5%、產值 3%)。這代表國巨賣的是相對低單價的產品——換句話說,台廠拿到的是量,不是價。這一格差異是整頁最該記住的事。
宣稱值市占為宏遠證券轉述 Morgan Stanley/JPM,未查證機構原始報告。前二大合計出貨量約 63%、前五大約 87%;高階 MLCC 日韓市占逾 70%(國票)。
推論這是兩份研報共同的核心機制,但要看清楚方向:台廠是撿被排擠出來的需求,不是靠自己搶進高階市場。這個定位差異決定了行情的天花板在哪——也決定了失效條件是什麼(見下一段)。
高階產線建置期長,且 2023–2025 低谷期業界普遍沒有擴產,等於這一輪從零開始追。
車規認證與產線綁定,不能因為 AI 缺貨就把車用產能轉過去支援。
村田投入 2,500 億日元擴產,未來兩年產能僅增略超 20%,對比 AI 需求年增約 80%。
| 指標 | 數值 | 來源 |
|---|---|---|
| Yageo 一般規陶瓷電容交期 | 24–30 週 → 42 週(6→7 月) | Future Electronics,宏遠轉述 |
| 中低階 MLCC 交期 | 拉長至 20 週以上 | 國票 |
| 太陽誘電稼動率 | 約 85% → 7–9 月估 95% | 宏遠 |
| 三星電機高階 AI MLCC | 8/1 起調漲達 30%;與雲端巨頭簽 15 億美元長約 | 三星電機法說會,宏遠轉述 |
| B/B ratio(6 月) | 村田 1.34、太陽誘電 1.72、國巨 2.2、產業整體 1.04 | 宏遠 |
B/B ratio(book-to-bill)大於 1 代表接單多於出貨,數字越高代表在手訂單累積越快。
宣稱值村田擴產幅度與「AI 需求年增約 80%」為宏遠宣稱值,無第三方佐證。
本頁引用的三份研報通篇單邊看多,沒有任何一份設獨立風險章節、沒有任何一份提供下檔情境。這不代表產業沒有風險,而是這幾份沒查。以下反面訊號是從研報內文自行辨識出來的,不是研報自己提示的。
「排擠效應受惠」的另一面是:台廠並未進入高階市場。國巨產值市占 3% 低於出貨量市占 5%,賣的是相對低單價產品。日韓廠一旦回頭補中低階產能,溢出需求就會消失。
宏遠稱本輪「未見恐慌性重複下單、客戶對話非常具合作性」;但兆豐在國巨個股報告中明列風險為「標準品重複下單及通路庫存增加」。同一件事兩個相反判斷,且兩邊都沒給查證數據——引用任一說法前要知道另一邊怎麼說。
首頁(p.2)產業投資總結看好三檔(國巨、禾伸堂、華新科),尾頁(p.19)同一張表只剩兩檔,華新科消失且未說明原因。無法判斷是下修看法或表格疏漏——引用「宏遠看好華新科」前必須回原文確認是哪一頁。
宏遠寫「本輪擴產更審慎,降低了泡沫化風險」——反過來說,若擴產轉為不審慎,泡沫化風險就成立。這是三份研報中唯一觸及下檔的敘述。
| 環節 | 看什麼 |
|---|---|
| 材料與製程 | 陶瓷、金屬電極、磁性材料,以及薄膜、堆疊、燒結或繞線等製程能力。 |
| 產品與規格 | 先確認是電阻、MLCC、電感或其他類型,再比較尺寸、性能與可靠度。 |
| 應用與認證 | 伺服器、車用與消費電子需求不同;產品組合比「都是被動元件」更能解釋差異。 |
| 供需與獲利 | 留意庫存、利用率、價格與產品組合。AI 需求增加,不代表每一種產品都同等受惠。 |